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Revelan IBM y Samsung avance en semiconductores

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Axel Romero

Cd. de México (15 diciembre 2021) .-14:20 hrs

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Con los nuevos transistores de efecto de campo de transporte vertical (VTFET, por su nombre en inglés), IBM y Samsung reducirían el consumo energético un 85 por ciento.

Con los nuevos transistores de efecto de campo de transporte vertical (VTFET, por su nombre en inglés), IBM y Samsung reducirían el consumo energético un 85 por ciento. Crédito: Cortesía.

Al utilizar una nueva arquitectura de transistor vertical, Samsung e IBM planean reducir el consumo energético de los dispositivos en un 85 por ciento, gracias al avance en las investigaciones que acaban de revelar.